'한국과 중국 D램 기술 격차 5년…낸드는 2년'

30일 한국수출입은행 해외경제연구소에 따르면 중국의 D램 제조사 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 올해 10나노 2세대(1y·16~17나노) D램의 양산을 추진하고 있다. 반면 삼성전자·SK하이닉스는 올해 말 또는 내년에 10나노 5세대(1b·12~13나노) D램의 양산을 계획하고 있다. 한 세대당 기술 격차가 약 2년~2년6개월인 점을 고려하면 양국의 기술격차는 5년 이상이다.

특히 삼성전자·SK하이닉스 등 한국 기업은 초미세 공정의 핵심 시설인 극자외선(EUV) 장비를 도입했거나 도입할 계획인데, 중국 기업은 미국의 제재로 EUV 장비 도입이 어려운 상황이다. 이 때문에 양국의 기술격차 축소가 쉽지 않을 것이란 전망이 우세하다.

중국의 수율(완성품 중 양품 비율)도 낮은 편이다. 해외경제연구소는 2019년 10나노 1세대(1x·18~19나노) D램의 양산을 시작한 CXMT의 수율이 2년이 지난 지금도 75% 수준으로 고전하고 있다고 분석했다. 양산을 추진 중인 2세대 D램의 수율도 40% 수준으로 알려졌다. 결국 지난해 말 기준 1% 미만인 CXMT의 D램 시장점유율도 큰 반등이 없을 것으로 추정된다.